#1 |
数量:7512 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:7512 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:8906 |
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最小起订量:2 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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规格书 |
FDMQ86530L |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 8A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 17.5 mOhm @ 8A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 33nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2295pF @ 30V |
功率 - 最大 | 1.9W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 12-WDFN Exposed Pad |
供应商器件封装 | * |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
动态目录 | N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16709?mpart=FDMQ86530L&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
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